FQP50N60 时间：2025/8/25 6:30:07 阅读：8

FQP50N60是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于高功率开关应用中。这款器件由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造，具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力等特点。FQP50N60采用TO-220封装形式，适用于各种电源转换和电机控制应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：600V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　功耗（Pd）：175W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.22Ω
　　封装类型：TO-220

特性

FQP50N60具有多项优秀的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V Vds）使得该器件适用于高电压电源转换系统，如开关电源（SMPS）和逆变器。其次，其低导通电阻（Rds(on)）≤0.22Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，FQP50N60能够承载高达50A的连续漏极电流，这使其适用于高电流负载应用，如直流电机控制和电源管理。该器件的TO-220封装提供了良好的热性能和机械稳定性，便于散热和安装。
　　此外，FQP50N60具有较高的栅极阈值电压（Vgs(th)）稳定性，确保在不同工作条件下能够可靠地导通和关断。它的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。由于其优异的热阻性能和较高的可靠性，FQP50N60在工业控制、电源转换和电动工具等领域得到了广泛应用。

应用

FQP50N60主要应用于高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机控制器和电源管理系统。在开关电源中，该器件可用于主开关元件，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，FQP50N60可用于驱动直流电机或步进电机，提供稳定的功率输出。此外，它还可用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。