时间：2025/10/30 9:04:54
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N28F512-120是一款由Intel推出的512 Kbit（64K x 8）的并行接口闪存芯片，属于早期的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）技术向闪存过渡时期的产品。该器件采用单一+5V供电，适用于需要非易失性存储的应用场景，例如嵌入式系统、工业控制设备、通信模块以及老式计算机系统中的固件存储。N28F512-120支持在线电擦除和编程功能，允许用户在不从电路板上取下芯片的情况下进行固件更新，提高了系统维护的灵活性。该芯片封装形式通常为28引脚DIP或PLCC，具备标准的地址与数据总线接口，便于与微处理器或微控制器直接连接。由于其较早推出，目前已逐步被更高密度、更低功耗和更快访问速度的现代闪存产品所取代，但在一些老旧设备的维修和替换中仍具有一定的使用价值。该芯片的命名规则中，“N28F”代表Intel的闪存系列，“512”表示存储容量为512Kbit，“-120”则指其最大访问时间120纳秒，反映了其性能等级。
制造商：Intel
类型：并行闪存
存储容量：512 Kbit (64KB)
组织结构：64K x 8
电源电压：5V ± 10%
访问时间：120 ns
工作温度范围：0°C 至 +70°C
封装形式：28-pin DIP, 28-pin PLCC
接口类型：并行（地址/数据总线）
编程电压：内部电荷泵生成
写入耐久性：约100,000次擦写周期
数据保持时间：10年（典型）
待机电流：≤ 100 μA
工作电流：≤ 30 mA
N28F512-120具备多项关键特性，使其在当时的嵌入式系统中广受欢迎。首先，它采用单一5V电源供电，无需外部高压编程电压，简化了系统电源设计。芯片内部集成了电荷泵电路，能够在编程和擦除操作期间自动生成所需的高电压，从而实现全芯片的在线电可擦除和编程功能。这一特性极大地提升了系统现场升级的便利性，尤其适用于远程或难以拆卸的设备。其次，该器件支持字节级编程和扇区/整片擦除模式，提供了灵活的数据管理能力。用户可以逐字节写入数据，同时可以选择对特定扇区或整个芯片进行擦除操作，避免影响其他区域的数据完整性。
此外，N28F512-120具备较高的可靠性，典型数据保持时间可达10年以上，且可承受约10万次的擦写周期，满足大多数工业应用的需求。其120ns的访问时间在当时属于中高速水平，能够与多种8位和16位微处理器良好匹配，如Intel 80C31、80C51、80C186等。为了降低功耗，该芯片还提供了待机模式，在未进行读写操作时自动进入低功耗状态，待机电流低于100μA，有助于延长电池供电系统的运行时间。
该器件还具备软件数据保护机制，通过特定的命令序列来启用或禁用写操作，防止因误操作或系统异常导致的非预期擦除或编程。这种保护机制增强了系统的稳定性，尤其是在电源不稳定或电磁干扰较强的工业环境中尤为重要。最后，其标准的并行接口设计兼容广泛使用的微处理器总线时序，简化了硬件设计和驱动开发流程。尽管该芯片已不再推荐用于新设计，但其稳定性和成熟的技术使其在设备维护和替代方案中仍然具有一定价值。
N28F512-120广泛应用于20世纪90年代至21世纪初的各类电子系统中。常见用途包括工业自动化控制系统中的固件存储，用于保存PLC程序或设备配置信息；在通信设备中作为BIOS或启动代码的存储介质，例如路由器、调制解调器和交换机等；在消费类电子产品中，如老式打印机、复印机和POS终端，用于存放控制程序和用户界面数据；此外，也用于军事和航空航天领域的老旧设备中，因其经过长期验证具备较高的可靠性。由于其并行接口特性，常与8051系列、80186、68HC系列等微控制器或微处理器配合使用，构成完整的嵌入式系统。在一些需要现场升级固件但不具备现代串行闪存接口的系统中，N28F512-120曾是理想选择。目前，虽然已被更先进的SPI NOR Flash或Parallel NAND等器件取代，但在设备维修、备件替换和遗产系统维护中仍有需求。
M29F512-120
AM29F512-120
SST39SF040-120
