EMK212BC6106KG-T 是一款基于硅技术制造的高性能功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制程工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于高效率电源转换、DC-DC 转换器、逆变器及电机驱动等场景。
其封装形式为 TO-263(D2PAK),具备良好的散热性能,能够承受较高的工作电流和电压。此外,该器件还具有较低的栅极电荷和输出电容,从而优化了动态性能。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:56A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:48nC
总电容:2020pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263
1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保在大电流应用中减少功耗。
2. 快速开关特性使得该器件非常适合高频电路。
3. 高电流承载能力支持广泛的工业应用。
4. 具备出色的热稳定性和可靠性,在极端温度环境下仍能保持高性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
6. 内部集成 ESD 保护电路,增强抗静电能力。
1. 开关电源(SMPS)设计中的功率级开关。
2. 高效 DC-DC 转换器的核心元件。
3. 工业用逆变器和电机驱动系统。
4. 电动汽车充电设备中的功率管理模块。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源解决方案。
6. 各类负载切换和保护电路。
IRFZ44N
FDP5510
STP55NF06L