时间：2025/5/19 14:05:30
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IPZ40N04S5L4R8ATMA1 是一款基于沟槽技术的 N 沟道功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。其低导通电阻和快速开关特性使其在高效能转换器、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景中表现出色。此外，该器件采用先进的封装工艺以优化热性能，确保在高电流应用中的稳定性。
这款 MOSFET 具有出色的电气特性和可靠性，能够在广泛的温度范围内稳定运行，同时具备抗雪崩能力，进一步增强了其鲁棒性。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：39A
导通电阻（典型值）：2.7mΩ
栅极电荷：106nC
开关速度：超高速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流处理能力，支持大功率应用。
3. 快速开关特性，适用于高频开关电源和转换器。
4. 强大的雪崩能力，提高系统在异常情况下的可靠性。
5. 优化的热阻设计，确保高温环境下的稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备的需求。
7. 紧凑且高效的封装形式，便于集成到各类电路板中。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 工业电机驱动和控制
3. 电动车和混合动力汽车的逆变器
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统
5. 高效负载开关和保护电路
6. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流切换
7. 各类工业自动化设备中的功率控制模块
IPW40N04S5L4R8ATMA1
IRF3710
FDP040N04L
AOT292L
