型号：N28F256A-120
　　制造商：Intel
　　存储容量：256 Kbit (32 KB)
　　组织结构：32,768 × 8 位
　　工艺技术：浮栅NMOS Flash
　　工作电压：5V ±10%
　　访问时间：120ns
　　封装形式：28-pin DIP 或 PLCC
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　编程方式：通过特定命令序列写入
　　擦除方式：整片擦除（Bulk Erase）
　　I/O接口类型：并行CMOS兼容
　　待机电流：典型值100μA
　　读取电流：典型值25mA
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压

N28F256A-120的核心特性在于其作为早期电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）替代品的设计理念和技术实现。它采用了标准的5V单电源供电，并内置电荷泵电路，使得用户无需提供额外的高编程电压（如传统的+12V），从而简化了系统电源设计。这一特性显著降低了系统复杂度，尤其适用于以微控制器为核心的嵌入式系统。该芯片支持标准的地址/数据总线接口，可以直接连接到8位或16位处理器总线上，实现无缝挂接。其120ns的访问时间在当时属于主流水平，足以满足多数低速控制类应用的需求。
　　该器件具备字节级编程能力，允许逐个字节修改内容，但整体擦除必须以整片方式进行，这意味着无法对某一扇区单独擦除，限制了其在需要频繁更新小块数据场景下的适用性。这种架构要求系统软件在更新数据时采取“复制-擦除-重写”策略，增加了固件开发的复杂性。此外，N28F256A的耐久性有限，一般标称擦写次数约为100次左右，远低于现代NAND或NOR Flash可达10万次以上的水平，因此在频繁写入的应用中需谨慎评估寿命问题。
　　另一个关键特性是其非易失性存储能力，在断电后仍能保持数据长达10年以上，确保关键配置信息或固件代码的安全保存。芯片具备一定的抗干扰能力和ESD保护，但在实际PCB布局中仍建议采取适当的去耦和布线措施以提升稳定性。值得注意的是，该型号缺乏硬件写保护引脚，写保护依赖于内部状态机和命令序列控制，因此在异常掉电情况下存在误写风险，设计时应配合电源监控电路使用。

N28F256A-120广泛应用于20世纪90年代初期至中期的各种电子系统中，尤其是在需要长期保存程序代码或配置参数但又不支持在线升级的嵌入式设备中发挥重要作用。典型的使用场景包括工业自动化控制器中的固件存储，例如PLC模块、数控机床的BIOS区域存储、老式通信基站的启动引导程序存放等。由于其并行接口特性，能够直接映射到CPU的内存空间，因此常用于8051、Z80、68HC11等经典8位或16位微处理器系统中作为外部程序存储器（External Program Memory）。
　　在消费类电子产品领域，该芯片也曾用于早期的打印机、传真机和复印机中，用于存储设备初始化代码和字体表信息。在一些军用或航空航天领域的遗留系统中，由于认证周期长、更换成本高，至今仍有部分设备继续使用此类Flash器件进行维护和替换。此外，N28F256A还常见于各种测试仪器和测量设备中，用于保存校准数据和用户设置，因其数据保持能力强且读取速度快，适合对稳定性要求较高的环境。
　　尽管当前主流设计已转向SPI/QSPI串行Flash或更高密度的NOR Flash，但在维修、逆向工程或仿真老旧硬件平台时，了解N28F256A的功能特性和时序要求仍然十分必要。对于教学用途而言，该芯片也是学习Flash存储原理、总线接口时序和嵌入式系统引导机制的良好实例。随着原厂停产，目前市场上多为库存品或二手器件，使用时应注意批次老化和数据完整性检测。

AM28F256-120
　　MBM29F256-12L