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SQD19P06-60L_GE3 发布时间 时间:2025/5/21 13:26:23 查看 阅读:17

SQD19P06-60L_GE3是一款功率MOSFET器件,主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效功率管理的应用场景。该器件采用了先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,从而能够显著降低功耗并提高系统效率。
  该型号属于功率MOSFET系列,通常被用于高电流和高电压应用中,其封装形式为行业标准的PDFN5*6-8L,具备良好的散热性能以及电气特性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻(典型值):1.7mΩ
  栅极电荷:25nC
  输入电容:1320pF
  开关速度:非常快
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

SQD19P06-60L_GE3的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在不同条件下的典型值为1.7mΩ,有助于减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,可有效降低开关损耗,适用于高频应用场景。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 小型PDFN封装,提供卓越的热性能和电气性能,同时节省PCB空间。
  5. 支持宽范围的工作温度,适合各种严苛环境下的应用。
  6. 符合RoHS。

应用

这款MOSFET器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器,如降压、升压或升降压转换电路。
  3. 电动工具、家用电器和其他消费类电子产品中的电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
  5. 汽车电子系统中的功率控制模块,例如电池管理系统(BMS)、燃油喷射系统等。
  6. 高效功率转换应用,如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。

替代型号

SQD19N06-60L, IRF6620, AO6620

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SQD19P06-60L_GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥12.72000剪切带(CT)2,000 : ¥5.39910卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)55 毫欧 @ 19A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)41 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1490 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)46W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252AA
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63