时间：2025/9/3 21:51:07
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IPI030N10N3G是一款由英飞凌（Infineon）推出的功率MOSFET，广泛用于高功率开关应用中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高效率的特点。适用于工业电源、电机驱动、DC-DC转换器以及各种高功率电子系统。
类型：功率MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：100V
导通电阻（RDS(on)）：30mΩ
封装类型：PG-HSOF-8
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
技术：沟槽型MOSFET
IPI030N10N3G具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功耗并提高系统效率。该器件采用了英飞凌的CoolMOS?技术，具备优异的开关性能和热稳定性，从而延长了器件的使用寿命。
此外，IPI030N10N3G的封装设计优化了热管理，使其能够在高负载条件下保持较低的温度上升。这种特性对于需要长时间运行的电源系统和电机控制应用尤为重要。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间，使其兼容多种驱动电路设计。IPI030N10N3G还具备较高的短路耐受能力，能够在异常条件下提供一定的保护作用。
该器件的可靠性高，符合AEC-Q101汽车级标准，适用于汽车电子和工业自动化等对可靠性要求较高的场合。
IPI030N10N3G常用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：
? 工业电源和开关电源（SMPS）
? 电机驱动和伺服控制系统
? DC-DC转换器和电池管理系统
? 电动汽车充电模块
? 高效LED照明系统
? 工业自动化和机器人控制电路
IPD030N10N3G, IPI026N10N3G, IPI033N10N3G
