N25Q128A13ESE40F是第一款采用65nmNOR技术制造的高性能多输入/输出串行闪存设备。它具有就地执行(XIP)功能、高级写保护机制和高速SPI兼容总线接口。创新、高性能、双输入/输出指令和四输入/输出指令为读取和编程操作启用两倍或四倍的传输带宽。内存为256(64KB)个主扇区,进一步划分为16个各界别分组(共4096个界别分组)。内存可以一次擦除一个4KB子扇区,一次擦除64KB扇区,或者一个整体。根据应用需要,N25Q128A13ESE40F可以通过易失性和非易失性保护功能由软件进行写保护。保护粒度为64KB(扇区粒度)用于易失性保护,有64个一次性可编程(OTP)字节,可通过读取OTP和编程OTP命令进行读取和编程。这64个字节也可以使用程序OTP命令永久锁定。N25Q128A13ESE40F还能够通过使用专用的编程/擦除暂停、恢复指令暂停、恢复编程、擦除周期。
制造商 | 美光科技公司 |
制造商产品编号 | N25Q128A13ESE40FTR |
供应商 | 美光科技公司 |
描述 | IC 闪存 128MBIT SPI 108MHZ 8SO |
详细描述 | FLASH-NOR存储器IC128Mb(32Mx4)SPI108MHz8-SO |
类别 | 集成电路(IC)存储器 |
工作温度 | -40°C~85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.209",5.30mm宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
基本产品编号 | N25Q128A13 |
N25Q128A13ESE40F
箱/包 | 集成电路 |
引脚数 | 8 |
访问时间 | 7纳秒 |
地址总线宽度 | 1个 |
密度 | 128兆字节 |
频率 | 108兆赫 |
界面 | SPI,串行 |
最高工作温度 | 85℃ |
最大电源电压 | 3.6V |
内存大小 | 16MB |
内存类型 | 闪存,NOR |
最低工作温度 | -40℃ |
最小电源电压 | 2.7伏 |
标称电源电流 | 20mA |
包装 | 卷带 |
系列 | N25Q |
存储容量 | 128Mbit |
电源电压-最小 | 2.7V |
电源电压-最大 | 3.6V |
接口类型 | SPI |
最大时钟频率 | 108MHz |
组织 | 16Mx8 |
数据总线宽度 | 8bit |
页面大小 | 256乙 |
同步/异步 | 同步 |
高度 | 1.91毫米 |
长度 | 5.49毫米 |
宽度 | 5.49毫米 |
属性 | 描述 |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168小时) |
REACH状态 | 非REACH产品 |
SPI兼容串行总线接口
108MHz(最大)时钟频率
2.7–3.6V单电源电压
双/四路I/O指令提供高达432MHz的增量吞吐量
支持的协议
三种协议均采用就地执行(XIP)模式
编程/擦除挂起操作
通过单个命令连续读取整个内存
灵活适应应用
软件复位
64字节,用户可锁定,一次性可编程(OTP)专用区域
擦除能力
写保护
电子签名
每个扇区至少100000次擦除周期
超过20年的数据保留
符合JEDEC标准的软件包,所有RoHS兼容
N25Q128A13ESE40F符号
N25Q128A13ESE40F脚印
N25Q128A13ESE40F封装
型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
N25Q128A13ESE40G | 美光 | Flash芯片 | 闪存,或非,128Mbit,16Mx8位,108MHz,SPI,WSOIC,8引脚 |
N25Q128A13ESE | 美光 | Flash芯片 | 40ENOR闪存串行SPI3V/3.3V128Mbit128M/64M/32Mx1Bit/2Bit/4Bit7ns8针带托盘 |