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N25Q128A13ESE40F 发布时间 时间:2023/7/6 17:27:48 查看 阅读:1200

描述

N25Q128A13ESE40F是第一款采用65nmNOR技术制造的高性能多输入/输出串行闪存设备。它具有就地执行(XIP)功能、高级写保护机制和高速SPI兼容总线接口。创新、高性能、双输入/输出指令和四输入/输出指令为读取和编程操作启用两倍或四倍的传输带宽。内存为256(64KB)个主扇区,进一步划分为16个各界别分组(共4096个界别分组)。内存可以一次擦除一个4KB子扇区,一次擦除64KB扇区,或者一个整体。根据应用需要,N25Q128A13ESE40F可以通过易失性和非易失性保护功能由软件进行写保护。保护粒度为64KB(扇区粒度)用于易失性保护,有64个一次性可编程(OTP)字节,可通过读取OTP和编程OTP命令进行读取和编程。这64个字节也可以使用程序OTP命令永久锁定。N25Q128A13ESE40F还能够通过使用专用的编程/擦除暂停、恢复指令暂停、恢复编程、擦除周期。

产品概述

制造商美光科技公司
制造商产品编号N25Q128A13ESE40FTR
供应商美光科技公司
描述IC 闪存 128MBIT SPI 108MHZ 8SO
详细描述FLASH-NOR存储器IC128Mb(32Mx4)SPI108MHz8-SO
类别
集成电路(IC)存储器
工作温度-40°C~85°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm宽)
供应商器件封装8-SO
基本产品编号N25Q128A13

产品图片

N25Q128A13ESE40F

N25Q128A13ESE40F

规格参数

箱/包
集成电路
引脚数8
访问时间7纳秒
地址总线宽度1个
密度128兆字节
频率108兆赫
界面SPI,串行
最高工作温度85℃
最大电源电压3.6V
内存大小16MB
内存类型闪存,NOR
最低工作温度-40℃
最小电源电压2.7伏
标称电源电流20mA
包装卷带
系列N25Q
存储容量128Mbit
电源电压-最小2.7V
电源电压-最大3.6V
接口类型SPI
最大时钟频率108MHz
组织16Mx8
数据总线宽度8bit
页面大小256乙
同步/异步同步
高度1.91毫米
长度5.49毫米
宽度5.49毫米

环境与出口分类

属性描述
RoHS状态符合ROHS3规范
湿气敏感性等级(MSL)3(168小时)
REACH状态非REACH产品

特点

  • SPI兼容串行总线接口

  • 108MHz(最大)时钟频率

  • 2.7–3.6V单电源电压

  • 双/四路I/O指令提供高达432MHz的增量吞吐量

  • 支持的协议

  • 三种协议均采用就地执行(XIP)模式

  • 编程/擦除挂起操作

  • 通过单个命令连续读取整个内存

  • 灵活适应应用

  • 软件复位

  • 64字节,用户可锁定,一次性可编程(OTP)专用区域

  • 擦除能力

  • 写保护

  • 电子签名

  • 每个扇区至少100000次擦除周期

  • 超过20年的数据保留

  • 符合JEDEC标准的软件包,所有RoHS兼容

电路图

引脚图

CAD模型

N25Q128A13ESE40F符号

N25Q128A13ESE40F符号

N25Q128A13ESE40F脚印

N25Q128A13ESE40F脚印

封装

N25Q128A13ESE40F封装

N25Q128A13ESE40F封装

替代型号

型号
制造商
品名
描述
N25Q128A13ESE40G美光Flash芯片
闪存,或非,128Mbit,16Mx8位,108MHz,SPI,WSOIC,8引脚
N25Q128A13ESE美光Flash芯片40ENOR闪存串行SPI3V/3.3V128Mbit128M/64M/32Mx1Bit/2Bit/4Bit7ns8针带托盘

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N25Q128A13ESE40F图片

N25Q128A13ESE40F

N25Q128A13ESE40F参数

  • 单元类型NOR
  • 块组织对称
  • 字组数目16M
  • 存储器大小128Mbit
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度5.49mm
  • 封装类型SO W
  • 尺寸5.49 x 5.49 x 1.91mm
  • 引脚数目8
  • 接口类型串行 - SPI
  • 最低工作温度-40 °C
  • 最大工作电源电压3.6 V
  • 最小工作电源电压2.7 V
  • 最长随机存取时间7ns
  • 最高工作温度+85 °C
  • 每字组的位元数目8bit
  • 组织16M x 8 位
  • 长度5.49mm
  • 高度1.91mm