您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NTD18N06LT4G

NTD18N06LT4G 发布时间 时间:2023/4/13 11:06:38 查看 阅读:576

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:65 毫欧 @ 9A, 5V

漏极至源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A

Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250?A

闸电荷(Qg) @ Vgs:22nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :675pF @ 25V

功率 - 最大:55W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:D-Pak

其它名称:NTD18N06LT4GOS

资料

厂商
ON Semiconductor

NTD18N06LT4G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NTD18N06LT4G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

NTD18N06LT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 9A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds675pF @ 25V
  • 功率 - 最大55W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTD18N06LT4GOSNTD18N06LT4GOS-NDNTD18N06LT4GOSTR