N2576T-5 时间：2025/8/13 9:30:02 阅读：25

N2576T-5 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等应用中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适合在需要高效能和高可靠性的电源管理系统中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大）
　　功耗（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

N2576T-5 具备一系列优异的电气特性和物理特性，使其在电源管理领域具有广泛的应用前景。
　　首先，该器件的最大漏源电压为 60V，最大漏极电流为 5A，能够满足中高功率应用的需求。其导通电阻 Rds(on) 最大值为 0.18Ω，确保在导通状态下具有较低的功率损耗，提高整体系统效率。
　　其次，N2576T-5 的封装形式为 TO-220AB，这种封装方式具有良好的散热性能，适用于需要高电流承载能力的应用场景。此外，该器件的栅极驱动电压范围为 -20V 至 +20V，提供了较大的驱动灵活性。
　　再者，其最大功耗为 60W，能够在高温环境下稳定工作。工作温度范围从 -55°C 到 150°C，表明其具备良好的热稳定性，适用于各种严苛的工作环境。
　　最后，N2576T-5 在设计上优化了开关特性和导通损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用，有助于提高系统效率和减小电源模块的体积。

应用

N2576T-5 常用于多种电源管理和控制电路中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制部分。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于需要高效率和高可靠性的应用场合。此外，在电池管理系统、UPS（不间断电源）、LED 驱动器和电源适配器等产品中也广泛采用该器件。