FDMCA7632 是由 Fairchild(飞兆半导体,现为安森美半导体的一部分)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的SuperFET技术,具备低导通电阻(RDS(on))、高效率和优异的热稳定性,适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):120A(在TC=25℃时)
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大6.5mΩ(在VGS=10V时)
功耗(PD):200W
封装形式:D2PAK
工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
FDMCA7632 采用先进的超级结(SuperFET)技术,显著降低了导通电阻并提高了开关性能。其低RDS(on)特性有助于减少导通损耗,提高系统效率。
该MOSFET具备高电流承载能力和优异的热管理性能,适用于高功率密度设计。
其D2PAK封装具有良好的散热性能,适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。
此外,FDMCA7632 还具备高雪崩能量耐受能力,增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性。
该器件符合RoHS环保标准,适用于绿色电子产品设计。
FDMCA7632 常用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电源管理系统以及工业自动化设备中的功率开关应用。
由于其高效率和低导通电阻特性,它特别适合用于高电流、高频工作的电源模块和电池管理系统中。
在服务器电源、通信电源、汽车电子以及工业控制系统中均有广泛应用。
FDMS7632、FDPF085N03A、SiR178DP-T1-GE3