时间：2025/8/28 2:48:42
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PQ1CG41H 是一款由Rohm（罗姆）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电源管理模块及负载开关等应用。该器件采用小型SOT-23（SC-59）封装，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于便携式设备和空间受限的设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100mA
功率耗散（PD）：200mW
导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（VGS=4.5V）
阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23（SC-59）
PQ1CG41H 采用先进的沟槽式MOSFET结构，具备较低的导通电阻，能够在有限的空间内实现较高的电流承载能力，从而降低功率损耗并提高系统效率。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的热传导性能，适合高密度PCB布局。
此外，该MOSFET具备较高的耐压能力，漏源之间可承受高达40V的电压，确保在各种电源管理应用中具备出色的稳定性和可靠性。栅极驱动电压范围宽泛，支持3.3V至5V逻辑电平直接驱动，兼容多种控制电路设计。
PQ1CG41H 主要应用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理系统。它适用于低功率DC-DC升压/降压转换器、电池充电电路、LED背光驱动、电源开关控制及负载切换电路。
[
"PQ1CG41V",
"PMV48XP",
"2N7002",
"FDV301N",
"SI2302DS"
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