时间：2025/8/5 14:22:39
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IXTQ42N50P是一款N沟道功率MOSFET，由德国英飞凌（Infineon）公司生产。该器件专为高功率应用设计，具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热性能，适用于各种电源转换和功率控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：42A
导通电阻（Rds(on)）：0.16Ω（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C~150°C
封装类型：TO-247
IXTQ42N50P采用先进的MOSFET技术，具有出色的导通和开关性能。其低导通电阻可降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，可在高电压和高电流条件下稳定工作。其TO-247封装提供良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该MOSFET还具备快速恢复二极管特性，适用于高频开关应用。
此外，IXTQ42N50P具有良好的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工业环境中长期运行。其优化的栅极设计减少了开关损耗，提高了整体性能。这款MOSFET广泛用于电源管理、电机控制和功率转换系统。
IXTQ42N50P适用于多种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备。其高耐压和大电流能力使其成为各种电源管理和功率控制应用的理想选择。
IXTQ42N50P的替代型号包括STP42N50和FQA42N50。
