N2102ZBG 时间：2025/8/7 12:45:12 阅读：34

N2102ZBG 是一款由 Nisshinbo Microsystems（日本新日本无线）制造的低电压、低功耗、CMOS 工艺制造的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片设计用于需要低功耗和高性能的便携式设备、工业控制设备、消费类电子产品以及通信设备。N2102ZBG 是一款 2K x 8 位的 SRAM，意味着它具有 16K 位的存储容量，并以 8 位并行数据总线进行读写操作。该芯片采用高速访问时间设计，适合对速度有一定要求的应用场景。

参数

容量：16K 位（2K x 8）
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间（tRC）：55ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：28 引脚 SOP
　　功耗：典型待机电流为 10μA，工作电流为 120mA（最大）
　　数据保持电压：1.0V（最小）
　　封装尺寸：约 15.4mm x 7.6mm（SOP）

特性

N2102ZBG 采用先进的 CMOS 技术制造，具有极低的功耗特性，适合电池供电设备和对功耗敏感的应用。其高速访问时间为 55ns，使得该芯片能够在较高频率下稳定运行，满足多种嵌入式系统和实时控制需求。芯片支持自动数据保持模式，在掉电或待机状态下能够保持数据完整性，从而提高系统的可靠性和稳定性。
　　此外，N2102ZBG 支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），使其兼容多种电源管理系统，并能够在不同环境条件下稳定运行。该芯片还具有较高的抗干扰能力和稳定性，适用于复杂电磁环境的工业控制场合。其封装形式为 28 引脚 SOP，体积小巧，便于 PCB 布局和焊接。同时，该芯片符合 RoHS 环保标准，适用于绿色电子产品的设计。

应用

N2102ZBG 主要应用于需要低功耗、高速存取的嵌入式系统中，例如便携式医疗设备、智能电表、工业控制模块、无线通信模块、GPS 接收器、音频/视频设备等。其高速访问能力和低功耗特性使其成为微控制器系统中理想的外部存储器扩展方案，尤其适用于需要频繁读写操作的应用场景。
　　在嵌入式系统中，该芯片常用于缓存临时数据、程序变量存储、缓冲通信数据等。例如，在无线传感器网络中，N2102ZBG 可作为临时数据存储单元，实现传感器数据的快速采集和处理。在工业自动化控制设备中，它可以用于存储实时运行参数或控制逻辑。此外，在消费类电子产品如智能穿戴设备中，该芯片也可用于提升设备的运行效率和电池续航能力。