2DI50A-120 是一款高性能的双绝缘栅双极型晶体管(IGBT),主要用于高功率电子设备中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,能够在高电压和高电流条件下高效运行。2DI50A-120 的设计使其适用于需要快速开关和高可靠性的应用,例如变频器、电源转换系统和电机驱动器。
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
最大集电极电流(IC):50A
最大工作温度:150°C
导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
输入电容(Cies):约3500pF
输出电容(Coes):约500pF
反向恢复时间(trr):约1.2μs
2DI50A-120 具备多项优异特性,包括高耐压能力和大电流承载能力,能够满足高功率密度和高效率的要求。其导通压降较低,能够减少导通损耗,提高整体能效。此外,该器件具有快速开关特性,有助于减少开关损耗,使其适用于高频开关应用。
该IGBT采用双绝缘封装技术,提供了更高的安全性和可靠性,能够承受较高的热应力和机械应力。同时,2DI50A-120 的热阻较低,有助于更好地散热,延长器件的使用寿命。
在驱动方面,2DI50A-120 的栅极驱动电压范围较宽,通常在±15V至±20V之间,这使得它能够与多种驱动电路兼容。此外,该器件具有良好的短路耐受能力,能够在异常条件下保持稳定运行。
2DI50A-120 主要应用于需要高功率和高可靠性的电子系统中,例如工业变频器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、电焊机、感应加热设备和新能源发电系统(如太阳能逆变器和风力发电变流器)。
在工业自动化领域,该IGBT用于驱动大功率电机,实现高效的能量转换和精确的速度控制。在新能源领域,2DI50A-120 被广泛用于光伏逆变器中,将直流电转换为交流电以供电网使用。
此外,该器件还适用于电能质量控制设备,如动态电压调节器和无功功率补偿装置,能够有效提高电力系统的稳定性和效率。
SKM50GB120D, FF50R12KS4P5, IRG4PC50UD