时间：2025/8/23 13:13:25
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N1802NS160是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET主要用于高功率应用，如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池充电系统。N1802NS160属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，非常适合在高电流和高频工作条件下使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：2 x 80A（双通道）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为8.5mΩ（在VGS = 10V时）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerSO-10（双通道封装）
N1802NS160具有多项显著的技术特性，适用于高功率和高效率的应用需求。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了STMicroelectronics的先进MOSFET制造工艺，确保在高电流下仍能保持良好的导通性能和稳定性。N1802NS160为双通道MOSFET结构，每个通道均可独立使用，也可并联使用以支持更高的电流需求，这种灵活性使其在电源设计中非常受欢迎。
此外，N1802NS160具备优异的热管理性能，采用PowerSO-10封装，具有良好的散热能力，能够在高温环境下稳定运行。该器件支持高达+175°C的工作温度，适用于严苛工业环境中的应用。其栅极驱动电压范围宽广，支持常见的10V或12V驱动电压，便于与各种控制电路兼容。
在安全性和可靠性方面，N1802NS160具备良好的短路耐受能力和过热保护特性。其封装设计有助于减少寄生电感，从而降低开关损耗和电磁干扰（EMI），提升整体系统稳定性。该MOSFET适用于同步整流、负载开关、电池管理系统（BMS）和H桥电机控制等应用场景。
N1802NS160广泛应用于多种高功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、多相电源模块、服务器电源、工业自动化控制系统、电机驱动器以及电池充电器等。其双通道结构特别适合用于H桥电路来驱动直流电机或步进电机，也可用于同步整流以提高转换效率。此外，该器件还可用于电源管理单元（PMU）中，作为负载开关或保护开关使用，确保系统的稳定性和安全性。
STL180N3LLF STB180N3LLF STD180N3LLF
