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BC857BLT1G 发布时间 时间:2022/12/30 10:30:42 查看 阅读:814

    晶体管极性:Dual P

    电压, Vceo:45V

    截止频率 ft, 典型值:100MHz

    功耗, Pd:300mW

    集电极直流电流:100mA

    直流电流增益 hFE:100

    

目录

概述

    晶体管极性:Dual P

    电压, Vceo:45V

    截止频率 ft, 典型值:100MHz

    功耗, Pd:300mW

    集电极直流电流:100mA

    直流电流增益 hFE:100

    封装类型:SOT-23

    针脚数:3

    SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)

    功耗:225mW

    封装类型:SOT-23

    总功率, Ptot:0.3W

    晶体管类型:Bipolar

    最大连续电流, Ic:100mA

    电流, Ic hFE:475mA

    直流电流增益 hfe, 最小值:220

    表面安装器件:表面安装

    饱和电压, Vce sat 最大:0.3V


资料

厂商
ON Semiconductor

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BC857BLT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)220 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC857BLT1GOSTR