类型：NPN型BJT
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：25 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　封装形式：TO-18金属封装
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：典型值为50-300，分不同等级
　　封装引脚数：3
　　极性：NPN

JAN2N5322晶体管具备多项显著特性。首先，其过渡频率（fT）高达100 MHz，使其适用于高频放大和振荡电路。其次，该器件采用TO-18金属封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合在严苛环境中使用。
　　作为一款军用规格（JAN）器件，JAN2N5322符合美国军用标准，具备高可靠性和一致性，适用于航空航天、军事设备、工业控制系统等关键应用。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，能够在极端温度条件下稳定工作。
　　此外，该晶体管的最大集电极-发射极电压为25 V，最大集电极电流为100 mA，适合中等功率放大应用。其最大功耗为300 mW，在合理设计的散热条件下可保持稳定运行。电流增益（hFE）范围为50至300，根据具体批次和等级有所不同，可满足不同电路设计需求。
　　JAN2N5322的基极-发射极结电压（VBE）在额定工作条件下约为0.6至0.8 V，确保较低的驱动电压需求，适用于多种偏置电路设计。该晶体管还具备较低的噪声系数，使其在射频和低噪声放大器设计中表现出色。

JAN2N5322广泛应用于需要高可靠性和高频性能的电子系统中。常见应用包括射频放大器、振荡器、混频器和前置放大器电路。该晶体管适用于通信设备、雷达系统、测试仪器和工业控制系统。
　　由于其军用规格认证，JAN2N5322常用于航空航天和国防领域，如卫星通信、导航系统、军用无线电设备等。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为极端环境应用的理想选择。
　　在消费类电子领域，JAN2N5322可用于高性能音频放大器、无线发射模块和传感器接口电路。由于其良好的频率响应特性，该晶体管也常用于模拟信号处理和调制解调电路。此外，它还可用于电源管理电路、定时电路和高速开关应用。

2N5179, 2N5222A, 2N5321, BC547, 2N3904