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PESD5V0H1BSF/S711 发布时间 时间:2025/5/23 19:37:01 查看 阅读:1

PESD5V0H1BSF/S711 是一款超低电容 TVS 二极管阵列,专为保护高速数据接口免受静电放电(ESD)损害而设计。该器件具有双向对称结构,适用于单向或双向瞬态电压抑制应用。
  该型号采用超小尺寸的 SOT-711 封装形式,非常适合空间受限的设计场景。其卓越的 ESD 抑制能力和快速响应时间确保了电子设备在恶劣环境下的稳定运行。

参数

额定电压:5V
  峰值脉冲电流:±12A
  最大钳位电压:8.4V
  电容:0.35pF
  响应时间:<1ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT-711

特性

1. 超低电容设计,仅为 0.35pF,适合高速信号线路保护。
  2. 快速响应时间 (<1ns),能够迅速抑制瞬态电压波动。
  3. 高度可靠的 ESD 防护能力,符合 IEC 61000-4-2 标准,支持 ±20kV 接触放电和 ±30kV 空气放电。
  4. 双向对称结构,便于灵活应用于单向或双向电路保护。
  5. 符合 RoHS 和无卤素标准,环保性能优异。
  6. 工作温度范围宽广,能够在极端条件下保持性能稳定性。

应用

1. 高速数据线保护,如 USB、HDMI、DisplayPort 和 PCIe。
  2. 移动设备中的射频接口防护,例如手机、平板电脑和笔记本电脑。
  3. 工业自动化设备中的通信端口保护。
  4. 汽车电子系统中对静电敏感的输入输出接口防护。
  5. 网络设备中的以太网端口和光纤模块防护。

替代型号

PESD5V0H1BLC/SOD962C, PESD5V0U1BLC/SOD962C

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