时间：2025/8/6 6:43:14
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MWI50-12T7T是一款由Microsemi（现为Microchip Technology）生产的高功率、高频IGBT模块，专为工业和电力电子应用设计。这款IGBT模块具有出色的导通和开关性能，适用于需要高效率和高可靠性的场合。
类型：IGBT模块
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：50A
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：TO-247
技术：沟槽栅场截止（Trench FS）IGBT技术
短路耐受能力：典型值为10μs
MWI50-12T7T采用了先进的沟槽栅场截止（Trench FS）IGBT技术，提供更低的导通压降和更高的开关速度。该模块具有良好的热性能和短路耐受能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。此外，它还具有低电磁干扰（EMI）和高可靠性，适用于各种苛刻的工作环境。
该IGBT模块的封装设计确保了良好的散热性能，使得在高功率应用中能够有效降低工作温度，从而提高整体系统的效率和寿命。其高集成度和紧凑的设计也使得在PCB上的布局更加灵活。
MWI50-12T7T广泛应用于工业电机驱动、逆变器、UPS系统、焊接设备以及可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）。其高功率密度和优异的性能使其成为需要高效、高可靠性和紧凑设计的电力电子应用的理想选择。
FGA25N120ANTD, IKW50N120CS6
