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ACPM-7371-TRI 发布时间 时间:2025/9/16 3:59:10 查看 阅读:12

ACPM-7371-TRI 是由 Advanced Monolithic Devices (AMD) 生产的一款 GaN(氮化镓)功率晶体管。该器件基于先进的 GaN 半导体技术,具有出色的高频性能和高效率,适用于需要高功率密度和低开关损耗的应用场景。ACPM-7371-TRI 采用高可靠性的封装设计,适用于工业、通信、电源管理和测试设备等多个领域。

参数

类型:GaN 功率晶体管
  工作电压:100V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻(Rds(on)):35mΩ
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  最大功耗:200W
  栅极电荷:60nC
  输入电容:2000pF
  输出电容:400pF
  反向恢复时间:0ns

特性

ACPM-7371-TRI 具有多个显著的技术特性,使其在高频功率转换应用中表现出色。首先,该器件采用 GaN 材料技术,具备非常低的导通电阻(Rds(on))和极快的开关速度,从而显著降低了开关损耗并提高了系统效率。这使得 ACPM-7371-TRI 在高频率工作条件下依然能保持较低的温升,适用于高频DC-DC转换器、高效AC-DC电源、电机驱动系统以及功率放大器等应用。
  其次,该晶体管具有优异的热稳定性,能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定运行,适应极端环境下的使用需求。其 TO-247 封装设计不仅具备良好的散热性能,还能确保在高功率负载下器件的可靠性与稳定性。
  此外,ACPM-7371-TRI 的栅极电荷仅为 60nC,输入电容为 2000pF,这些参数使得器件在高频开关过程中所需的驱动功率较低,进一步提升了系统效率并减少了驱动电路的复杂性。同时,由于 GaN 器件本身没有反向恢复时间(反向恢复时间为 0ns),因此可以显著减少桥式电路中的交叉导通损耗,提高整体系统的动态性能。
  综上所述,ACPM-7371-TRI 凭借其 GaN 技术优势、低导通电阻、快速开关特性以及优异的热管理能力,成为高频、高效功率转换应用中的理想选择。

应用

ACPM-7371-TRI 的应用场景非常广泛。首先,在电源管理系统中,该器件可用于高效 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块,尤其适用于服务器电源、电信设备电源和工业自动化设备电源系统,能够显著提升能源利用效率并减小电源体积。
  其次,在电机控制系统中,ACPM-7371-TRI 可用于高性能电机驱动器,特别是在电动汽车(EV)和电动工具中,其低导通损耗和快速开关特性有助于提升电机效率并延长电池续航时间。
  此外,该晶体管也适用于射频(RF)功率放大器和测试设备中的高频信号处理模块,能够提供稳定的高功率输出,并减少信号失真。在可再生能源系统中,例如太阳能逆变器和风力发电变流器中,ACPM-7371-TRI 同样可以提升系统的整体效率和可靠性。
  最后,在高功率密度的工业电源和不间断电源(UPS)系统中,ACPM-7371-TRI 的高性能特性使其成为替代传统硅基 MOSFET 和 IGBT 的优选方案,有助于实现更高效率、更小体积和更轻重量的电源系统设计。

替代型号

ACPM-7371-TRI 可以被以下型号替代:EPC2045、GS61004B、SiC620-A、GPT0604DP-HF

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