K1278 时间：2025/8/9 4:35:08 阅读：35

K1278 是一款常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等电路中。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频率下工作，具备良好的热稳定性和高效能特性。K1278通常采用TO-220或TO-252（DPAK）等封装形式，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：连续：10A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.28Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：35W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220、TO-252（DPAK）等

特性

K1278 MOSFET具有多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，其较高的漏源击穿电压（60V）使其适用于中等功率的电源转换应用。该器件具备良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下稳定工作。
　　K1278的栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与多种驱动电路匹配。同时，其快速开关特性适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。此外，该MOSFET具备较强的过载能力和抗冲击能力，适用于电机驱动和负载开关等应用场景。
　　在封装方面，K1278常采用TO-220或TO-252等标准封装形式，便于散热和安装，适用于多种PCB布局和散热设计需求。