时间：2025/8/6 0:36:10
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MWI50-06AT7是一款由Microsemi（现为Microchip子公司）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，专为高效率、高功率应用而设计。该器件采用TO-247封装形式，适用于工业、电源管理和电机控制等应用。该型号中的“50”表示其最大漏源电压为50V，“06”表示最大漏极电流为60A，AT7表示特定的型号后缀，代表特定的封装或工艺特性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：50V
最大漏极电流（ID）：60A
最大功耗（PD）：250W
导通电阻（RDS(on)）：约2.8mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
MWI50-06AT7是一款高性能的功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有高耐压能力和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于需要长时间运行的工业设备。其TO-247封装提供了良好的散热性能，适合高电流应用。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在负载突变或短路情况下保持稳定运行，提高系统的可靠性。此外，MWI50-06AT7的快速开关特性使其适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动器等应用。
该器件的栅极驱动特性优化，确保在低栅极电压下也能实现良好的导通性能，降低了驱动电路的复杂性。同时，其封装设计符合RoHS环保标准，适合现代电子制造中的环保要求。在实际应用中，MWI50-06AT7通常与其他功率器件配合使用，构建高效的功率转换系统。
MWI50-06AT7广泛应用于各类高功率电子系统中，包括工业电机驱动、电源转换器、电池管理系统、不间断电源（UPS）、电焊机和电动汽车充电设备等。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适用于需要高效能和高可靠性的场合。在电动汽车领域，该器件可用于车载充电器和电机控制器，提升整车能效和续航能力。此外，该MOSFET也常用于太阳能逆变器和储能系统中，以实现高效的能量转换和管理。
IXFH60N50P
STP60NF50
FDP60N50
