RHTVSBC01221N-T 是一款瞬态电压抑制器 (TVS),主要用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、浪涌和其他瞬态过电压事件的损害。该器件采用超低电容设计,适合高速数据线和高频信号应用。
其出色的响应速度和鲁棒性使其成为通信接口、消费类电子产品及工业设备的理想选择。
类型:双向 TVS
工作电压(VBR):±12V
最大箝位电压(VC):±24V
峰值脉冲电流(IPP):5A
结电容(Cj):0.35pF
反向漏电流(IR):1μA
响应时间:1ps
封装形式:SOD-882
RHTVSBC01221N-T 具备以下显著特点:
1. 极低结电容设计(仅 0.35pF),非常适合高速数据传输线路保护。
2. 快速响应时间(1ps),可以有效抑制瞬态电压威胁。
3. 双向保护功能,支持正负双向过电压防护。
4. 高度可靠的性能,符合 IEC61000-4-2 标准,能够承受高达 ±24kV 的接触放电。
5. 小型化封装(SOD-882),节省电路板空间,适用于高密度布局设计。
6. 宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),适应各种环境条件下的应用需求。
该芯片主要应用于需要高速数据传输和高频信号保护的场景,具体包括:
1. USB 3.0/3.1 数据线保护。
2. HDMI 和 DisplayPort 接口防护。
3. 高速网络通信设备中的以太网端口保护。
4. 移动设备(如智能手机和平板电脑)中的射频线路防护。
5. 工业自动化设备中的控制信号线保护。
6. 汽车电子系统中的传感器信号线路防护。
RHTVSBC01221N-LT, RHTVSBC01221N-HR, PESD1221B