类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：14A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值100mΩ
　　功率耗散(Pd)：130W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220AB

MVU14-10FK具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的100V漏源电压额定值使其适用于多种中高功率应用场景，如电源适配器、电池充电器和马达驱动器。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达14A，适用于需要较高功率输出的设计。
　　其次，MVU14-10FK采用了先进的平面技术与沟槽工艺相结合的设计，提供了优异的开关性能，减少了开关损耗，同时具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。其TO-220AB封装形式有助于有效散热，提升器件在高负载条件下的可靠性。
　　再者，该器件的栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种常见的驱动电路设计，便于集成于不同的功率系统中。此外，MVU14-10FK具备较强的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定运行，从而提升整体系统的安全性和可靠性。

MVU14-10FK广泛应用于各类电力电子系统中，尤其是在需要高效能、高可靠性的电源管理方案中表现突出。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达控制电路、工业自动化设备以及电池管理系统（BMS）等。由于其具备较高的电流能力和良好的热性能，该器件也常用于电动汽车充电模块、储能系统以及光伏逆变器等新能源相关设备中。
　　在汽车电子领域，MVU14-10FK可被用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器（OBC）等模块，提供稳定、高效的功率控制解决方案。此外，在工业自动化和电机驱动控制中，该MOSFET可用于实现精确的电流控制和快速响应的开关操作，从而提升设备的整体性能和能效。

IRF1405, FDP14N10, SiHHU14N10K