STP4N25 时间：2025/7/22 15:52:54 阅读：6

STP4N25 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于高电流、高电压的开关应用。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和导通特性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种工业和消费类电子设备中的功率开关电路。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：250V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4A
　　功耗(Pd)：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

特性

STP4N25 具备低导通电阻（Rds(on)）特性，可在导通状态下提供高效的电流传输能力，减少功率损耗。其高速开关性能使其适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。器件内部的体二极管可提供反向电流保护，适用于感性负载的应用场景。STP4N25 还具有较强的抗过载能力和良好的雪崩击穿耐受性，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业环境。
　　在制造工艺方面，STP4N25 采用先进的平面技术制造，具备较高的制造一致性和稳定性。其栅极驱动电压范围较宽，适合与多种类型的驱动电路兼容。该器件的封装形式（TO-220）便于散热设计，适合用于需要高散热性能的PCB布局。此外，STP4N25 还具备较低的开关损耗，有助于提高整体系统的能效。

应用

STP4N25 广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统、照明控制系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率开关模块。由于其具备较高的电压和电流耐受能力，STP4N25 特别适合用于需要频繁开关操作和高可靠性的应用场景，例如电动工具、电动车控制器、太阳能逆变系统和不间断电源（UPS）等。此外，该MOSFET也常用于电源管理IC的外围功率开关元件，以实现高效的能量转换。