时间：2025/9/10 2:50:18
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MVK10VC33RME55TP 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的表面贴装 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高性能的电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统等。这款 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@ 25°C：10A
功耗（Pd）：1.4W
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=10V：0.33Ω
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=4.5V：0.44Ω
阈值电压（Vgs(th)）：2.1V（min）~4.0V（max）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：表面贴装，DFN5x6
MVK10VC33RME55TP MOSFET 具有多个关键特性，使其适用于多种高性能电源管理场景。首先，其低导通电阻在 10V 栅极电压下仅为 0.33Ω，在 4.5V 栅极电压下也仅为 0.44Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体效率。其次，该器件支持高达 10A 的连续漏极电流，适合中高功率应用。
此外，该 MOSFET 的栅源电压最大为 ±20V，具有良好的抗电压冲击能力，提高了系统稳定性。其阈值电压范围为 2.1V 至 4.0V，确保在不同驱动条件下都能稳定导通。MVK10VC33RME55TP 采用 DFN5x6 封装，具有较小的封装尺寸，适合空间受限的设计。同时，其 -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围，使其能够在恶劣环境中稳定运行。
该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度，从而减少开关损耗。在高频开关应用中，这种特性尤为重要。同时，其低反向恢复电荷（Qrr）也有助于提升同步整流和 DC-DC 转换器中的效率。
MVK10VC33RME55TP MOSFET 主要用于各类电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及同步整流器等。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于笔记本电脑、服务器、通信设备、工业自动化设备等对效率和散热要求较高的电子产品中。
在 DC-DC 转换器中，MVK10VC33RME55TP 可作为高边或低边开关使用，提供高效能的电压转换。在负载开关应用中，它可以实现对系统不同部分的精确电源控制，从而延长电池寿命并减少待机功耗。此外，该器件还可用于电机驱动电路中，提供高效率的功率控制方案。由于其宽温度范围和可靠的电气性能，也适合用于汽车电子和工业控制系统中。
Si4410BDY-T1-GE3
IRF7413PbF
MKA1010-100P
