H27U1G8F2BTRBC 时间：2025/9/2 4:31:50 阅读：20

H27U1G8F2BTRBC是一种由SK Hynix公司生产的NAND闪存芯片。这种芯片属于高密度、非易失性存储器设备，适用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。H27U1G8F2BTRBC具有1Gbit的存储容量，支持8位并行接口，适用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、存储卡等多种设备。

参数

容量：1Gbit
　　接口类型：8位并行接口
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　读取时间：最大70ns
　　编程时间：典型值为200μs
　　擦除时间：典型值为2ms

特性

H27U1G8F2BTRBC是一种高性能的NAND闪存芯片，具备高密度存储和快速读写能力。该芯片采用了NAND闪存技术，具备较低的功耗，适用于电池供电设备。
　　这款芯片的8位并行接口设计使其能够与主控芯片进行高速数据交换，适用于需要频繁读写操作的应用场景，如固态硬盘和嵌入式存储系统。
　　其工作电压范围为2.7V至3.6V，使其能够在多种电源环境下稳定运行，适用于各种便携式设备和工业控制设备。
　　此外，H27U1G8F2BTRBC芯片支持标准的NAND闪存命令集，便于与主控制器进行通信。该芯片还具备较高的耐用性，能够承受多次擦写操作，适用于对存储寿命有较高要求的应用场景。
　　该芯片采用TSOP封装，尺寸小巧，便于集成到各种紧凑型设备中。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在各种恶劣环境下稳定运行，适用于工业级应用。