H27U1G8F2BTRBC是一种由SK Hynix公司生产的NAND闪存芯片。这种芯片属于高密度、非易失性存储器设备,适用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。H27U1G8F2BTRBC具有1Gbit的存储容量,支持8位并行接口,适用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、存储卡等多种设备。
容量:1Gbit
接口类型:8位并行接口
工作电压:2.7V - 3.6V
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C至+85°C
读取时间:最大70ns
编程时间:典型值为200μs
擦除时间:典型值为2ms
H27U1G8F2BTRBC是一种高性能的NAND闪存芯片,具备高密度存储和快速读写能力。该芯片采用了NAND闪存技术,具备较低的功耗,适用于电池供电设备。
这款芯片的8位并行接口设计使其能够与主控芯片进行高速数据交换,适用于需要频繁读写操作的应用场景,如固态硬盘和嵌入式存储系统。
其工作电压范围为2.7V至3.6V,使其能够在多种电源环境下稳定运行,适用于各种便携式设备和工业控制设备。
此外,H27U1G8F2BTRBC芯片支持标准的NAND闪存命令集,便于与主控制器进行通信。该芯片还具备较高的耐用性,能够承受多次擦写操作,适用于对存储寿命有较高要求的应用场景。
该芯片采用TSOP封装,尺寸小巧,便于集成到各种紧凑型设备中。其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在各种恶劣环境下稳定运行,适用于工业级应用。
H27U1G8F2BTRBC芯片广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、存储卡、数码相机、MP3播放器、工业控制系统和车载电子设备等。由于其高容量和低功耗特性,它也非常适合用于便携式消费电子产品。
H27U1G8F2CTRBC, K9F1G08U0B, H27U1G8F2DTR-BC