MV16VC68RMF60TP 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(Rds(on)),从而降低导通损耗并提高系统效率。MV16VC68RMF60TP 具有高耐压特性,漏源电压(Vds)可达 600V,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及工业自动化设备等高功率应用场景。其封装形式为 TO-220,便于散热和安装。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds:600V
栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id:16A
导通电阻 Rds(on):0.38Ω @ Vgs = 10V
功率耗散 Pd:150W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
MV16VC68RMF60TP 的核心优势在于其出色的导通性能和热稳定性。其导通电阻低至 0.38Ω,在 10V 栅极驱动电压下可实现高效的功率传输。该器件具备良好的热阻特性,确保在高电流和高温环境下仍能保持稳定运行。此外,MV16VC68RMF60TP 采用先进的沟槽式 MOSFET 结构,优化了电场分布,提高了器件的击穿电压稳定性。该器件还具备快速开关特性,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。MV16VC68RMF60TP 通过了工业级可靠性测试,确保在恶劣工作环境下具备长寿命和高稳定性。
该 MOSFET 还具有较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏,从而提高系统的安全性和可靠性。其栅极驱动电压范围较宽(±20V),兼容多种驱动电路设计,便于系统集成和优化。TO-220 封装提供了良好的散热性能,适合用于需要长时间高负载运行的电源系统中。
MV16VC68RMF60TP 广泛应用于各种功率电子系统中,包括工业开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、UPS 不间断电源、太阳能逆变器、LED 照明驱动电路以及电机控制模块等。其高耐压、低导通电阻和良好的热管理性能使其成为中高功率应用中的理想选择。此外,由于其优异的短路保护能力和可靠性,MV16VC68RMF60TP 也常用于对系统稳定性和寿命要求较高的工业自动化设备和电源管理系统。
STP16NK60ZFP, FQA16N60, 16N60C3