时间：2025/6/17 6:51:21
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IPD50N04S308ATMA1 是一款基于硅基的 N 沣道绝缘栅双极晶体管 (IGBT)，专为高功率应用设计。该器件采用先进的沟槽式场截止技术，具备低导通压降、快速开关速度和高可靠性等特性。其额定电压为 400V，额定电流为 50A，适合用于工业变频器、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的场合。
该型号中的 IPD 表示制造商 Infineon Technologies 的产品系列，而具体后缀如 'ATMA1' 则表示封装形式和特殊参数版本。
额定电压：400V
额定电流：50A
最大集电极-发射极饱和电压：1.7V
最大栅极-发射极阈值电压：4V
最大功耗：320W
结温范围：-55°C 至 175°C
开关频率：高达 20kHz
封装类型：TO-247
IPD50N04S308特性：
1. 高效功率转换能力，得益于其低导通压降设计，从而减少热损耗。
2. 快速开关速度，使得器件在高频工作条件下仍能保持较低的能量损耗。
3. 内置短路保护功能，在发生异常时能够限制电流峰值以避免损坏。
4. 稳定的电气性能，即使在极端温度范围内也能保证一致的工作表现。
5. 强大的散热性能，通过优化的芯片布局和封装设计实现高效的热量传导。
6. 耐受浪涌电流的能力强，能够在短时间内承受远高于额定值的电流而不失效。
这些特性使该 IGBT 成为许多高功率应用的理想选择。
IPD50N04S308ATMA1 广泛应用于以下领域：
1. 工业变频器，用于调节电机转速和扭矩。
2. 不间断电源 (UPS)，作为关键的功率转换元件。
3. 太阳能逆变器，将直流电转化为交流电并输入电网。
4. 电动汽车驱动系统，提供高效的功率控制。
5. 焊接设备，确保稳定的输出电流。
6. 高压直流输电系统，用于电力传输中的功率调节。
由于其出色的性能和可靠性，这款 IGBT 在各种高功率应用场景中表现出色。
IPD50N04S3L, IPD50N04S3G
