时间：2025/5/26 12:32:05
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IGP30N65H5XKSA1 是一款基于硅技术的 N 沱 MOSFET，采用 TO-247 封装。这款器件设计用于高频开关应用，如开关电源、逆变器、电机驱动等。它具有较低的导通电阻和栅极电荷，从而有助于提高效率并减少开关损耗。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 650V，能够承受较高的电压，同时其连续漏极电流可达 30A（在特定条件下）。这些特性使其适用于需要高功率密度和高效能的应用场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：1800pF
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
IGP30N65H5XKSA1 具有以下显著特性：
1. 高电压能力：支持高达 650V 的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：典型值为 180mΩ，可以有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输出电荷，有助于减少开关时间及相关的能量损失。
4. 热稳定性：能够在较宽的温度范围内运行，适应恶劣的工作环境。
5. 可靠性高：经过优化的设计确保了长期使用的稳定性和可靠性。
该 MOSFET 广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 太阳能逆变器
6. 电动车牵引逆变器
这些应用充分利用了 IGP30N65H5XKSA1 的高电压、低损耗和快速开关特点，以实现更高的效率和性能。
IPW30N65S5
IXFN30N65T
IRFP460
FDP18N65C3
