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IGP30N65H5XKSA1 发布时间 时间:2025/5/26 12:32:05 查看 阅读:13

IGP30N65H5XKSA1 是一款基于硅技术的 N 沱 MOSFET,采用 TO-247 封装。这款器件设计用于高频开关应用,如开关电源、逆变器、电机驱动等。它具有较低的导通电阻和栅极电荷,从而有助于提高效率并减少开关损耗。
  该 MOSFET 的最大漏源电压为 650V,能够承受较高的电压,同时其连续漏极电流可达 30A(在特定条件下)。这些特性使其适用于需要高功率密度和高效能的应用场景。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(典型值):180mΩ
  栅极电荷:35nC
  总电容:1800pF
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

IGP30N65H5XKSA1 具有以下显著特性:
  1. 高电压能力:支持高达 650V 的漏源电压,适合高压应用场景。
  2. 低导通电阻:典型值为 180mΩ,可以有效降低导通损耗。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷和输出电荷,有助于减少开关时间及相关的能量损失。
  4. 热稳定性:能够在较宽的温度范围内运行,适应恶劣的工作环境。
  5. 可靠性高:经过优化的设计确保了长期使用的稳定性和可靠性。

应用

该 MOSFET 广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 逆变器
  4. 电机驱动
  5. 太阳能逆变器
  6. 电动车牵引逆变器
  这些应用充分利用了 IGP30N65H5XKSA1 的高电压、低损耗和快速开关特点,以实现更高的效率和性能。

替代型号

IPW30N65S5
  IXFN30N65T
  IRFP460
  FDP18N65C3

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IGP30N65H5XKSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格500 : ¥15.49960管件
  • 系列TrenchStop?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟道
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)55 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)90 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值188 W
  • 开关能量280μJ(开),100μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷70 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值19ns/177ns
  • 测试条件400V,15A,23 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装PG-TO220-3