时间：2025/4/28 19:53:42
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MURA260T3G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的 GaN 工艺技术，具有极低的导通电阻和快速的开关速度，使其非常适合用于电源转换、无线充电、DC-DC 转换器等应用场景。
相比传统的硅基 MOSFET，MURA260T3G 提供了更高的效率和更小的尺寸，同时支持更高频率的操作，从而降低了系统成本并提升了整体性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2.4A
导通电阻：0.2Ω
栅极电荷：35nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
MURA260T3G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，减少了传导损耗，提高了系统效率。
2. 快速的开关速度，能够实现高频率操作，降低磁性元件体积。
3. 高耐压能力，支持高达 600V 的漏源电压，适用于多种高压场景。
4. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性。
5. 小型封装设计，节省电路板空间。
6. 支持宽禁带半导体技术，具备优异的热性能和电气性能。
MURA260T3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电设备
4. 太阳能逆变器
5. 电动工具驱动电路
6. 汽车电子中的车载充电器及电源管理系统
7. 高频谐振变换器
MURA260T3G 的高性能特点使其成为这些应用的理想选择。
MURS260T3G, MURA260T3D
