时间：2025/8/24 16:59:36
阅读：21
FDD5N50TF 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。该器件采用先进的平面条形技术，具备高功率密度和较低的导通电阻，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：5A
最大漏源电压（VDS）：500V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤3.0Ω @ VGS = 10V
漏极-源极击穿电压：500V
栅极电荷（Qg）：14nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
FDD5N50TF 具备多项优良特性，包括低导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。其先进的平面条形设计优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性。该 MOSFET 还具有快速开关能力，有助于降低开关损耗，适用于高频开关应用。此外，该器件的封装设计（TO-252）具有良好的热性能和机械强度，便于安装和散热。
另一个显著优点是其高抗雪崩能力，使其在面对瞬态电压冲击时仍能保持稳定工作。FDD5N50TF 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），增强了其在不同驱动电路中的兼容性。同时，该器件的低输入电容（CISS）和低栅极电荷（Qg）也有助于简化驱动电路设计，提高整体系统的响应速度和效率。
FDD5N50TF 常用于多种功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器、照明系统（如 LED 驱动电源）以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高耐压和低导通电阻特性也使其适用于需要高效功率转换和良好热管理的嵌入式系统设计。
在电源管理系统中，该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器件使用，以提升整体效率并减少热量产生。在消费类电子产品中，例如笔记本电脑和台式机的电源适配器中，FDD5N50TF 同样可发挥其高可靠性和高效能的优势。
FQA5N50C, 2SK2545, IRF840, FDD6N50TF
