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IRFP4127PBF 发布时间 时间:2025/4/25 18:42:31 查看 阅读:9

IRFP4127PBF 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道晶体管(MOSFET)。该器件属于 PowerTrench 系列,采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于高效率功率转换应用。
  这款 MOSFET 主要用于工业、汽车和消费类电子设备中的开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。其出色的电气性能和可靠性使其成为高性能功率管理系统的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:138A
  导通电阻:1.3mΩ
  栅极电荷:95nC
  总电容:380pF
  功耗:360W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:PQFN5660-2L

特性

IRFP4127PBF 的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力,这使得它在高效功率转换中表现优异。
  该器件的导通电阻仅为 1.3mΩ,能够显著降低传导损耗,并提高系统效率。
  此外,其快速的开关速度和低栅极电荷减少了开关损耗,从而适合高频操作。
  由于采用了 PQFN 封装,IRFP4127PBF 具有较小的热阻和较低的寄生电感,有助于优化散热性能并提升整体系统可靠性。
  工作温度范围从 -55°C 到 175°C,确保了其在极端环境下的稳定运行。

应用

IRFP4127PBF 广泛应用于各种高功率密度场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动控制
  4. 工业逆变器
  5. 负载切换模块
  6. 汽车电子系统中的功率管理
  凭借其卓越的性能和可靠性,IRFP4127PBF 成为许多功率密集型应用的理想解决方案。

替代型号

IRFP4127TRPBF, IRFP4127NPBF

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IRFP4127PBF参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥48.34000管件
  • 系列HEXFET?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)75A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)21 毫欧 @ 44A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5380 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)341W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247AC
  • 封装/外壳TO-247-3