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MUN5334DW1T1G 发布时间 时间:2023/3/29 11:46:26 查看 阅读:632

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品 

家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V

电阻器 - 基极 (R1)(欧):22K

电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47K

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 5mA, 10V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 1mA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大):500nA

频率 - 转换:-

功率 - 最大:250mW

安装类型:表面贴装 

封装/外壳:SC-70-6,SC-88,SOT-363 

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:SOT-363

资料

厂商
ON Semiconductor

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  • 产品型号
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MUN5334DW1T1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)