类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：85V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　漏极电流 (Id)：连续 180A（Tc=25℃）
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 3.7mΩ @ Vgs = 10V
　　功率耗散 (Pd)：300W
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

MDMA85P1800TG 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻 (Rds(on)) 确保了在高电流条件下最小的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。其次，该器件能够承受高达 180A 的连续漏极电流，适用于需要大电流处理能力的应用场景。此外，MDMA85P1800TG 采用了先进的沟槽式结构，优化了电场分布，减少了开关损耗，提高了器件的动态性能。
　　在热管理方面，MDMA85P1800TG 的 TO-263 封装提供了良好的热传导性能，确保在高功率工作条件下器件能够有效散热。这使得该 MOSFET 在高负载和高温度环境下仍能保持稳定的工作状态。另外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
　　安全性和可靠性也是 MDMA85P1800TG 的重要特点。该 MOSFET 内置了过热保护和短路保护功能，能够在异常工作条件下防止器件损坏。其宽工作温度范围（-55℃ 至 175℃）使其适用于各种恶劣环境，包括工业和汽车应用。

MDMA85P1800TG 广泛应用于多个高功率领域。在电源管理方面，该器件常用于同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关，以提高能效并减小系统尺寸。在工业自动化和电机控制领域，MDMA85P1800TG 可作为高侧开关，用于驱动直流电机、继电器和电磁阀等负载。此外，该 MOSFET 还适用于电池管理系统（BMS）和电动工具中的功率控制电路。
　　在汽车电子领域，MDMA85P1800TG 可用于车载充电器、车身控制模块（BCM）以及发动机管理系统中的高功率开关。其高可靠性和宽温度范围使其成为汽车应用中的理想选择。此外，该器件还可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块，帮助实现高效的能量转换和管理。

Si4410BDY, IRF9540N, FDP85P18