时间：2025/5/22 12:53:42
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MUN5315DW1 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，属于 enhancement-mode GaN FET 系列。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及其它高效能电力电子应用。
该芯片在设计时注重了散热性能与可靠性，同时通过优化栅极驱动特性降低了电磁干扰（EMI）。其工作电压范围宽，能够适应多种复杂的工作环境。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：140mΩ
栅极电荷：30nC
开关频率：高达5MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DFN8
1. 基于增强型氮化镓技术，具备出色的高频性能。
2. 极低的导通电阻，有效减少传导损耗。
3. 快速开关速度，适合高频应用场合。
4. 高击穿电压，增强了系统的安全性和稳定性。
5. 小尺寸封装，有助于缩小整体电路板面积。
6. 支持高效率的功率转换，在高频条件下仍保持低功耗。
1. 开关电源适配器及充电器。
2. LED 驱动电源。
3. DC-DC 转换器模块。
4. 无线充电设备中的功率级。
5. 工业用高效能电机驱动控制。
6. 其它需要高效率、小体积解决方案的电力电子系统。
MUN5315DW2, MUN5315AW1
