时间：2025/9/14 5:22:21
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PH955L,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于高电流开关应用。该器件采用小型化的 TSSOP 封装，具有优异的导通性能和热稳定性，适用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等场景。该 MOSFET 的最大漏极电流为 5.5A，漏源极耐压为 30V，具备低导通电阻和良好的热性能，适用于空间受限的便携式设备和高效能电源系统。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源极电压 (VDS)：30V
最大连续漏极电流 (ID)：5.5A
导通电阻 (RDS(on))：最大 32mΩ（在 VGS=4.5V 时）
栅极阈值电压：1V ~ 2.5V
功率耗散 (Ptot)：2.1W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSSOP
PH955L,115 具备多项优异特性，包括低导通电阻、高电流容量和良好的热管理性能。其低 RDS(on) 特性有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用 TSSOP 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 设计。此外，PH955L,115 在高温环境下仍能保持稳定工作，具备良好的可靠性。该 MOSFET 还具备快速开关能力，适用于高频应用，如 DC-DC 转换器和同步整流器。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路设计，包括由微控制器或专用驱动 IC 控制的应用场景。
PH955L,115 的内部结构优化了电流分布，降低了热阻，从而提高了器件的热稳定性。这种设计使得在高负载条件下仍能维持较低的温升，延长器件寿命并提升系统可靠性。该 MOSFET 的漏极和源极之间具有较高的击穿电压容忍度，增强了在突发电压冲击下的耐受能力。此外，该器件在制造过程中采用了环保材料，符合 RoHS 指令要求，适用于绿色环保电子产品设计。
PH955L,115 广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要高效能功率管理的场景中。典型应用包括电池供电设备的负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制电路、电源管理系统（如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备）以及工业自动化控制系统中的功率开关。此外，该 MOSFET 还适用于 LED 驱动电路、热插拔电源控制、电源适配器及各种电源管理模块。
Si2302DS, IRML2803, BSS138K, 2N7002E, FDV303N
