类型：NPN射频晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：15V
　　集电极-基极电压（Vcb）：20V
　　发射极-基极电压（Veb）：2V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Ptot）：300mW
　　频率（fT）：8GHz
　　电流增益（hFE）：50-300（取决于工作条件）
　　噪声系数（NF）：0.5dB（典型值）
　　封装形式：SOT-343

SET050111 的主要特性之一是其出色的高频性能，fT（过渡频率）达到8GHz，使其适用于高频放大器和射频前端电路。此外，该晶体管具有较低的噪声系数（典型值为0.5dB），非常适合作为低噪声放大器（LNA）使用，能够有效提升接收机的灵敏度。
　　另一个显著特点是其封装形式为SOT-343，这是一种小型化的表面贴装封装，便于在高密度PCB设计中使用，同时具有良好的热稳定性和机械强度。SET050111的工作电压范围较宽，集电极-发射极电压为15V，适用于多种电源配置。
　　该晶体管的最大集电极电流为100mA，功耗为300mW，在高频应用中能够保持良好的热管理和稳定性。电流增益范围较宽（50-300），可根据不同的电路需求进行优化设计。此外，SET050111还具有良好的线性度和稳定性，适用于需要高精度和高性能的射频电路设计。
　　在射频应用中，SET050111通常用于50Ω阻抗匹配系统，能够提供较高的增益和良好的输入输出隔离性能。其低噪声特性和高频率响应使其成为无线通信、雷达、测试设备和微波电路中的理想选择。

SET050111 射频晶体管广泛应用于多种高频电子系统中。最常见的用途是作为低噪声放大器（LNA），用于无线通信接收器的前端，以提高信号的接收质量和灵敏度。在测试和测量设备中，该晶体管常用于构建高频信号放大器和滤波器模块，以增强仪器的信号处理能力。
　　此外，SET050111 还可用于构建射频混频器、振荡器和功率放大器模块，尤其适用于需要在GHz频段工作的系统，如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线通信协议中的射频前端电路。由于其良好的高频性能和低噪声特性，SET050111也广泛应用于雷达、卫星通信和微波通信系统中。
　　在工业和消费电子领域，SET050111 可用于传感器接口电路、射频识别（RFID）读写器、射频信号调理模块等。在汽车电子中，该晶体管可用于车载通信系统、远程无钥匙进入系统（RKE）和胎压监测系统（TPMS）等应用，确保高频信号的稳定传输和接收。

BFP196, BFU520, BFR93A