MUN5116DW 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极型晶体管(BJT)阵列集成电路,内部集成了两个 NPN 型晶体管,适用于多种通用开关和放大应用。该器件采用 TSSOP 封装,具有良好的热稳定性和高频响应能力,适合用于需要多个晶体管的电路设计中。MUN5116DW 常见于消费类电子产品、工业控制、通信设备以及汽车电子系统中。
类型:双极型晶体管(NPN x2)
集电极-发射极电压(VCEO):30V
集电极电流(IC):100mA
功率耗散:200mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TSSOP
MUN5116DW 的主要特性之一是其内部集成的两个独立 NPN 晶体管,允许用户在一个封装中实现多个晶体管功能,从而节省 PCB 空间并简化电路设计。每个晶体管都具有相同的电气参数,支持通用放大和数字开关应用。
该器件的 VCEO 为 30V,最大集电极电流为 100mA,适用于中低功率的电子系统。此外,MUN5116DW 的功率耗散为 200mW,具备良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作,适合在恶劣环境条件下使用。
封装方面,TSSOP 封装不仅体积小巧,而且具有良好的散热性能,适用于表面贴装工艺,提高了 PCB 布局的灵活性。由于其标准化的引脚排列,MUN5116DW 也便于替换和升级。
在电气性能上,MUN5116DW 提供了良好的频率响应,支持高频操作,适用于信号处理和放大电路。此外,其较低的饱和压降(VCE(sat))有助于降低功耗,提高系统的整体效率。该器件还具有较高的电流增益(hFE),确保了在放大应用中的稳定性和可靠性。
综上所述,MUN5116DW 是一款性能稳定、易于使用的双晶体管阵列器件,适用于多种通用电子应用。
MUN5116DW 主要用于需要多个 NPN 晶体管的电路设计,例如数字开关控制、信号放大、逻辑电平转换、继电器驱动、LED 显示驱动以及音频放大器等应用场景。在工业控制领域,它常用于 PLC 模块和传感器接口电路中。在消费电子中,该器件可用于电源管理、马达控制以及音频信号处理。此外,MUN5116DW 也广泛应用于汽车电子系统中,如车灯控制、车载娱乐系统和仪表盘显示驱动。
MUN5115DW, MUN5117DW, BC847BS, 2N3904