MUBW50-12T8 时间：2025/8/6 8:30:08 阅读：25

MUBW50-12T8是一款由Mitsubishi Electric（三菱电机）制造的高功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛应用于工业电力电子设备中，如变频器、电机驱动器和电源系统。该模块集成了多个IGBT芯片和反向并联的二极管芯片，以实现高效的功率转换和控制。

参数

类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　最大集电极电流（IC）：50A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）
　　短路耐受能力：有
　　栅极驱动电压：±15V至20V
　　封装尺寸：符合行业标准

特性

MUBW50-12T8 IGBT模块具备多个关键特性，确保其在高压和高电流应用中的可靠性与高效性。首先，该模块采用了先进的IGBT芯片技术，使得导通压降和开关损耗都得到了优化，从而提升了整体能效。其次，其内部结构设计合理，具备良好的热管理和散热性能，适用于高功率密度应用。此外，该模块具有较高的短路耐受能力，能够在极端工况下提供额外的保护，防止器件损坏。其封装形式采用了可靠的双列直插式（DIP）结构，便于安装和维护，并确保良好的电气连接。MUBW50-12T8还具备良好的电磁兼容性（EMC），减少了外部干扰对系统性能的影响。最后，该模块的制造工艺符合国际标准，确保了在各种工业环境下的长期稳定性和耐用性。

应用

MUBW50-12T8 IGBT模块广泛应用于多种电力电子系统，包括工业变频器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热设备以及太阳能逆变器等。其高耐压和大电流能力使其特别适合用于中等功率级别的交流电机控制和直流电源转换系统。此外，该模块还可用于电动汽车充电设备和储能系统中的功率转换部分。