晶体管类型：NPN型双极晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　频率范围：最高可达100MHz
　　增益（hFE）：典型值为50-300，取决于工作电流
　　封装形式：SOT-23

HFMBF208晶体管具有多项优良特性，使其在高频应用中表现出色。首先，它具有较高的截止频率（fT），最高可达100MHz以上，使其适用于高频放大器和混频器电路。其次，其低噪声系数和良好的线性特性使其非常适合用于射频接收前端和低噪声放大器（LNA）的设计。
　　此外，HFMBF208具有良好的增益稳定性和温度稳定性，其hFE值在不同的工作条件下变化较小，确保电路性能的一致性。该晶体管还具备较高的击穿电压（VCEO为30V），可以在较宽的电压范围内稳定工作，增强了电路的可靠性。
　　由于采用SOT-23小封装形式，HFMBF208不仅节省空间，而且便于自动化装配，适用于表面贴装技术（SMT）工艺。这使得它在便携式电子产品和高密度PCB设计中得到了广泛应用。

HFMBF208广泛应用于射频和高频电子系统中。常见的用途包括射频放大器、混频器、振荡器和前置放大器等电路。在通信系统中，HFMBF208常用于无线接收器的前端放大器，以提高信号灵敏度和降低噪声影响。在测试测量设备中，该晶体管可用于构建高频信号发生器或放大器模块。
　　此外，HFMBF208也适用于需要高频响应的音频放大器和模拟信号处理电路。其优良的线性特性和稳定性使其成为射频识别（RFID）、无线传感器网络和低功耗无线通信模块中的理想选择。由于其SOT-23封装体积小巧，HFMBF208也广泛用于便携式电子设备和嵌入式系统中的高频信号处理。

BFQ68、BFQ67、2N3904、2N2222、BC847