时间：2025/4/29 10:30:52
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SI3401A-TP 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件主要应用于需要高效率和低导通电阻的应用场景中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等。其封装形式为微型 MLP2012-8 (2mm x 1.2mm)，有助于实现小型化设计。
SI3401A-TP 具有较低的导通电阻和栅极电荷特性，可显著提升系统的整体性能。
漏源电压 (Vds)：20V
连续漏电流 (Ids)：6.1A
导通电阻 (Rds(on))：5.5mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷 (Qg)：9nC (最大值)
输入电容 (Ciss)：375pF (典型值)
总功耗 (Ptot)：2.3W (Tc=25°C)
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻，能够减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，得益于较低的栅极电荷。
3. 小型化的 MLP2012-8 封装，非常适合空间受限的设计。
4准，并且无卤素。
5. 提供出色的热性能，有助于在高温环境下保持稳定运行。
6. 可靠性高，适用于各种工业和消费类电子产品。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各种便携式电子设备中的负载开关。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 消费类电子产品中的电机驱动。
5. 工业自动化设备中的信号切换与功率控制。
6. 通信设备中的电源管理和保护电路。
SI3402ADV, SI3403DDV
