MTW14N50E 时间：2025/12/29 13:17:21 阅读：13

MTW14N50E是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽栅技术，提供较低的导通电阻和更高的效率，广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、马达控制以及各种工业设备中。MTW14N50E的封装形式通常为TO-247，具备良好的热性能和电流承载能力。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：14A
　　最大漏-源电压（VDS）：500V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.36Ω
　　栅极电荷（Qg）：约56nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

MTW14N50E采用先进的沟槽栅结构技术，使得导通电阻更低，开关损耗更小，提高了整体的能效表现。该器件具备良好的热稳定性，在高功率工作环境下仍能保持稳定的性能。其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压应用，如AC-DC电源、工业电机驱动和太阳能逆变器等。
　　此外，MTW14N50E具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和耐用性。其栅极设计优化，减小了输入电容和开关电荷，从而提高了开关速度并降低了驱动损耗。这使得MTW14N50E非常适合用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和DC-DC变换器。
　　在封装方面，TO-247封装形式提供了良好的散热性能和机械强度，便于安装在散热片上以提高热管理效率。该封装形式广泛用于功率MOSFET领域，具备良好的行业兼容性。

应用

MTW14N50E主要应用于需要高压和中等电流处理能力的功率电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中作为主开关器件使用，提高电源转换效率；在DC-DC变换器中用于实现高效能的电压调节；在电机控制电路中用作功率开关，实现对电机速度和方向的精确控制。
　　此外，该器件也广泛应用于工业自动化设备、UPS不间断电源、LED驱动电源以及家用电器的功率控制部分。由于其高耐压和低导通电阻的特性，MTW14N50E也常用于太阳能逆变系统和电池管理系统中，满足高可靠性和高效率的应用需求。