时间：2025/6/5 11:46:47
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FDC6036P是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计，适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。该器件具有较低的导通电阻、高击穿电压以及快速开关特性，能够满足现代电源管理电路的需求。
这款MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的电子设备中。
型号：FDC6036P
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极耐压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：2.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
Id（持续漏极电流）：57A
Vgs（栅源极耐压）：±20V
Qg（栅极电荷）：49nC（典型值）
Eoss（输出电容能量损耗）：31μJ（典型值）
Ciss（输入电容）：4740pF（典型值）
封装形式：TO-220FP
FDC6036P的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高击穿电压（Vds）达到60V，确保在较高电压环境下的可靠运行。
3. 快速开关速度，适合高频应用场合。
4. 大电流承载能力，最大漏极电流可达57A，满足高功率需求。
5. 具有优异的热性能，有助于散热管理，提升整体系统稳定性。
6. 栅极兼容性良好，易于与各种驱动器电路配合使用。
这些特性使得FDC6036P成为多种功率转换应用的理想选择。
FDC6036P适用于以下应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 各类电池管理系统中的保护和切换功能。
5. 通信电源及适配器中的同步整流。
其强大的电流处理能力和低导通电阻使其非常适合需要高效功率转换的应用场景。
FDP5500,
IRF540N,
STP55NF06,
AO3400
