GJM0335C1H1R8BB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,适合在高频、大电流环境下工作。其封装形式为行业标准的 TO-263(D2PAK),具有良好的散热性能和机械稳定性。
这款芯片广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统(BMS)、LED 驱动以及各种工业控制场景中,能够显著提升系统的整体效率并降低能耗。
型号:GJM0335C1H1R8BB01D
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅极源极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):0.8mΩ (典型值)
总栅极电荷(Qg):45nC
输入电容(Ciss):3900pF
输出电容(Coss):150pF
开关时间:开启延迟时间 25ns,关断下降时间 18ns
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
GJM0335C1H1R8BB01D 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),仅为 0.8mΩ(典型值),这有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度,得益于较低的总栅极电荷 Qg 和优化的内部结构,从而支持高频工作环境。
3. 大电流承载能力,最大连续漏极电流可达 100A,满足高功率应用需求。
4. 宽广的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),确保在极端条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
6. 采用坚固耐用的 TO-263 封装,提供卓越的热管理和电气连接性能。
这些特性使得 GJM0335C1H1R8BB01D 成为高效能功率转换电路的理想选择。
GJM0335C1H1R8BB01D 在以下领域有着广泛的应用:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器,用于实现高效的电压调节。
2. 工业电机驱动和逆变器,提供稳定的功率输出。
3. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS),用于精确控制电池充放电过程。
4. LED 照明驱动,确保灯光亮度的一致性和节能效果。
5. 不间断电源(UPS)和太阳能逆变器,助力可再生能源技术的发展。
6. 各种消费类电子设备中的负载开关和保护电路。
凭借其出色的性能,这款 MOSFET 能够适应多种复杂的应用场景。
GJM0335C1H1R8BA01D, IRF3710, FDP16N30L