时间：2025/5/30 15:30:14
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IRLR120N 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道逻辑 级功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装形式，广泛用于需要高效能和低导通电阻的应用场合。它适用于多种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等。由于其较低的导通电阻和较高的电流处理能力，IRLR120N 在要求高效率和小尺寸的设计中表现优异。
该 MOSFET 的设计使其能够承受高频开关操作，并且具有非常低的栅极电荷，从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：73A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，于 Vgs=10V 时）
栅极电荷：19nC
总栅极电荷：27nC
输入电容：1160pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：SO-8
IRLR120N 提供了以下显著的性能特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 较低的栅极电荷 (Qg)，使得在高频应用中具备更高效的开关性能。
3. 支持宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的运行需求。
4. 高额定电流能力，允许其在大电流条件下稳定工作。
5. 快速开关速度，适合高频应用中的低损耗操作。
6. 具备出色的热稳定性，确保长期可靠运行。
IRLR120N 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级开关。
2. 电池保护电路和负载开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统中的功率分配和保护功能。
6. LED 照明驱动器中的恒流或恒压控制。
IRLZ44N, IRLR7843PbF
