时间：2025/8/23 3:13:08
阅读：3
MTVA0400N09W3S 是一款由 MagnaChip 生产的高性能 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用。MTVA0400N09W3S 采用 3 引脚的 TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热管理和高可靠性，适用于工业、汽车和消费类电子产品中的电源管理系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：250A（Tc）
最大漏-源电压（Vds）：90V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻 Rds(on)：典型值 1.9mΩ（@Vgs=10V, Id=125A）
功率耗散（Pd）：200W（Tc）
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
MTVA0400N09W3S MOSFET 基于先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定运行，其最大工作温度可达 175°C，适合高功率密度应用。其 90V 的漏-源击穿电压使其适用于多种中压功率转换系统，如服务器电源、DC-DC 转换器和同步整流电路。
该器件的封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，便于在印刷电路板（PCB）上安装和热管理。此外，其 250A 的连续漏极电流能力使其在大电流应用中表现出色，例如电机驱动和负载开关。
MTVA0400N09W3S 具有较低的开关损耗，这使其在高频开关应用中具有良好的性能表现。该 MOSFET 支持快速开关操作，有助于减少开关损耗，提高整体电源效率。同时，其 ±20V 的栅极电压耐受能力提供了更高的驱动灵活性，并有助于防止栅极氧化层击穿，从而提高器件的可靠性。
该器件符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。此外，其封装材料和制造工艺确保了器件在长期运行中的稳定性和耐久性，适用于工业自动化、汽车电子和高性能计算设备等关键应用场景。
MTVA0400N09W3S MOSFET 主要应用于需要高效能、高电流处理能力的电力电子系统中。例如，它广泛用于服务器和通信设备中的 DC-DC 转换器、多相同步整流器、负载开关、电机控制器以及高功率 LED 驱动电路。此外，该器件也适用于电动车、电池管理系统（BMS）和工业自动化控制系统中的高效率电源模块。
IXTT250N09WL2TMA1, IXFN250N09T2, FDBL3080N10A0_F085
