时间：2025/8/2 7:11:53
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CPH6442-TL-W 是一款由 Diodes 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，提供高效率和优异的热性能，适用于各种功率管理应用。CPH6442-TL-W 采用 SOT-23 封装，适用于表面贴装工艺，便于在 PCB 上安装。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，使其成为负载开关、DC-DC 转换器和电机控制等应用的理想选择。
类型: N 沟道 MOSFET
漏极电流 (Id): 2.8A
漏极-源极电压 (Vds): 20V
栅极-源极电压 (Vgs): ±12V
导通电阻 (Rds(on)): 58mΩ @ Vgs = 4.5V, Id = 1.4A
功率耗散 (Pd): 1.5W
工作温度范围: -55°C 至 150°C
封装类型: SOT-23
CPH6442-TL-W 具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。该器件的高电流处理能力使其能够适应高负载应用，同时保持较低的工作温度。此外，该 MOSFET 内部结构优化，具有良好的热稳定性和抗热击穿能力，确保在高功率应用中长期可靠运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 4.5V 至 12V 驱动电压，适用于多种驱动电路设计。SOT-23 封装设计不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。CPH6442-TL-W 的开关特性优异，具备快速的上升和下降时间，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
CPH6442-TL-W 主要应用于各种电源管理和功率控制电路中。常见应用包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达驱动电路以及各种便携式电子设备中的电源管理模块。由于其低导通电阻和高效率特性，该器件在节能型电源系统中表现尤为出色。此外，该 MOSFET 也适用于工业自动化、消费类电子产品和汽车电子等领域的功率控制电路。
AO3400, 2N7002K, FDN340P
