类型：硅双极性晶体管（BJT）
　　集电极-发射极电压（Vceo）：125V
　　集电极电流（Ic）：最大1.5A
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　工作频率：最高至500MHz
　　增益（hFE）：在Ic=300mA时，典型值为50-250
　　封装形式：TO-220AB
　　极性：NPN

HFM102-M具备多项优良的电气特性，使其在高频应用中表现出色。首先，该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压（Vceo），可达125V，这使得它适用于高电压环境下的功率放大电路。其次，最大集电极电流为1.5A，配合50W的功率耗散能力，HFM102-M能够在高负载条件下稳定工作。
　　此外，HFM102-M的工作频率可达到500MHz，适用于UHF（超高频）范围内的应用。其增益（hFE）范围为50至250，具体值取决于工作电流，这一特性使其在射频放大电路中具有良好的线性度和增益控制能力。
　　该晶体管采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性和热稳定性的应用场景。同时，HFM102-M具有较低的寄生电容和高β截止频率（fβ），有助于提升高频响应和整体电路效率。
　　在可靠性方面，HFM102-M通过了多项工业标准测试，包括温度循环测试、高湿度测试等，确保其在各种恶劣环境下的稳定运行。

HFM102-M主要应用于射频功率放大器、微波通信系统、无线基站设备、广播发射机、工业加热设备、测试与测量仪器等领域。由于其高频特性和较高的功率处理能力，它特别适合用于需要大功率输出和高稳定性的射频电路设计中。此外，该晶体管也常用于各类高频开关电路和线性放大电路中。

MRF158, 2N6679A, BLF177